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WebJun 7, 2024 · 在纳米材料中位错密度非常低，位错滑移和增殖采取 Frand—Reed模型，其临界位错圈的直径比纳米晶粒粒径还要大，增殖后位错塞积的平均 间距一般比晶粒大，所以在纳米材料中位错的滑移和增殖不会发生，此即纳米晶强化效 应。 (4)光学性能 纳米粒子的粒 … http://www.8ita.com/n/852776019.html Web在纳米材料中位错密度非常低，位错滑移和增殖采取Frand-Reed模型，其临界位错圈的直径比纳米晶粒粒径还要大，增殖后位错塞积的平均间距一般比晶粒大，所以在纳米材料中位错的滑移和增殖不会发生，此即纳米晶强化效应。 2光学性能 flytilstand windows 10